Kakšen je temperaturni gradient toplotnega polja enokristalne peči?

Kaj jetoplotno polje?

Temperaturno poljemonokristalna rastse nanaša na prostorsko porazdelitev temperature v enokristalni peči, znano tudi kot termično polje. Med kalcinacijo je porazdelitev temperature v toplotnem sistemu relativno stabilna, kar imenujemo statično termično polje. Med rastjo posameznega kristala se spreminja toplotno polje, kar imenujemo dinamično termično polje.

Ko posamezen kristal raste, se zaradi neprekinjenega preoblikovanja faze (tekoča faza v trdno fazo) stalno sprošča latentna toplota trdne faze. Hkrati se kristal vedno daljša, stopnja taline nenehno pada, prevodnost in sevanje toplote se spreminjata. Zato se toplotno polje spreminja, kar imenujemo dinamično toplotno polje.

Kaj je vmesnik trdno-tekoče?

V določenem trenutku ima katera koli točka v peči določeno temperaturo. Če točke v prostoru z enako temperaturo povežemo v temperaturno polje, dobimo prostorsko površino. Na tej prostorski površini je temperatura povsod enaka, kar imenujemo izotermna površina. Med izotermnimi površinami v monokristalni peči je prav posebna izotermna površina, ki je vmesnik med trdno fazo in tekočo fazo, zato jo imenujemo tudi vmesnik trdno-tekoče. Kristal raste iz meje trdno-tekoče.

Kaj je temperaturni gradient?

Temperaturni gradient se nanaša na hitrost spremembe temperature točke A v termičnem polju na temperaturo bližnje točke B. To je stopnja spremembe temperature znotraj enote razdalje.

kdajmonokristalni silicijraste, obstajata dve obliki trdne snovi in ​​taline v toplotnem polju, obstajata pa tudi dve vrsti temperaturnih gradientov:

▪ Vzdolžni temperaturni gradient in radialni temperaturni gradient v kristalu.

▪ Vzdolžni temperaturni gradient in radialni temperaturni gradient v talini.

▪ To sta dve popolnoma različni porazdelitvi temperature, vendar temperaturni gradient na meji trdno-tekoče lahko najbolj vpliva na stanje kristalizacije. Radialni temperaturni gradient kristala je določen z vzdolžno in prečno toplotno prevodnostjo kristala, površinskim sevanjem in novim položajem v toplotnem polju. Na splošno je središčna temperatura visoka, temperatura roba kristala pa nizka. Radialni temperaturni gradient taline v glavnem določajo grelci okoli nje, zato je središčna temperatura nizka, temperatura v bližini lončka je visoka, radialni temperaturni gradient pa je vedno pozitiven.

Primerna porazdelitev temperature toplotnega polja mora izpolnjevati naslednje pogoje:

▪ Vzdolžni temperaturni gradient v kristalu je dovolj velik, vendar ne prevelik, da zagotovi zadostno zmogljivost odvajanja toplote medrast kristalovza odvzem latentne kristalizacijske toplote.

▪ Vzdolžni temperaturni gradient v talini je relativno velik, kar zagotavlja, da v talini ne nastajajo nova kristalna jedra. Če pa je prevelik, lahko zlahka povzroči dislokacije in zlom.

▪ Vzdolžni temperaturni gradient na kristalizacijski meji je ustrezno velik, s čimer se tvori potrebno podhlajenje, tako da ima monokristal zadosten zagon rasti. Ne sme biti prevelik, sicer se bodo pojavile strukturne napake, radialni temperaturni gradient pa mora biti čim manjši, da bo kristalizacijska meja ravna.

VeTek Semiconductor je profesionalni kitajski proizvajalecPorozni grafit za rast kristalov SiC, Monokristalni vlečeni lonček, Pull Silicon Single Crystal Jig, Lonček za monokristalni silicij, Cev, prevlečena s tantalovim karbidom za rast kristalov.  VeTek Semiconductor je zavezan zagotavljanju naprednih rešitev za različne izdelke SiC Wafer za industrijo polprevodnikov.

Če vas zanimajo zgornji izdelki, nas kontaktirajte neposredno.  

Mob.: +86-180 6922 0752

WhatsAPP: +86 180 6922 0752

Elektronski naslov: anny@veteksemi.com