Lonček za monokristalni silicij

Pri metodi CZ (Czochralski) se posamezen kristal goji tako, da pride monokristalno seme v stik s staljenim polikristalnim silicijem. Seme se med počasnim vrtenjem postopoma vleče navzgor. V tem procesu se uporablja precejšnje število grafitnih delov, zaradi česar je metoda, ki uporablja največjo količino grafitnih komponent v proizvodnji silicijevih polprevodnikov.

Spodnja slika prikazuje shematski prikaz silicijeve peči za proizvodnjo monokristalov, ki temelji na metodi CZ.

Vetek Semiconductor's Crucible za monokristalni silicij zagotavlja stabilno in nadzorovano okolje, ključno za natančno tvorbo polprevodniških kristalov. Pomagajo pri gojenju monokristalnih silicijevih ingotov z uporabo naprednih tehnik, kot sta postopek Czochralski in metode float-cone, ki so ključnega pomena za proizvodnjo visokokakovostnih materialov za elektronske naprave.

Ti lončki so zasnovani za izjemno toplotno stabilnost, odpornost proti kemični koroziji in minimalno toplotno raztezanje ter zagotavljajo vzdržljivost in robustnost. Zasnovani so tako, da prenesejo težka kemična okolja, ne da bi pri tem ogrozili strukturno celovitost ali zmogljivost, s čimer podaljšajo življenjsko dobo lončka in ohranijo dosledno delovanje med dolgotrajno uporabo.

Edinstvena sestava Vetek Semiconductor Crucibles za monokristalni silicij jim omogoča, da prenesejo ekstremne pogoje visokotemperaturne obdelave. To zagotavlja izjemno toplotno stabilnost in čistost, ki sta kritični za obdelavo polprevodnikov. Sestava prav tako omogoča učinkovit prenos toplote, spodbuja enakomerno kristalizacijo in zmanjšuje toplotne gradiente znotraj silicijeve taline.

Prednosti našega SiC Coating Susceptorja:

Zaščita osnovnega materiala: prevleka CVD SiC deluje kot zaščitna plast med epitaksialnim postopkom, ki učinkovito ščiti osnovni material pred erozijo in poškodbami, ki jih povzroča zunanje okolje. Ta zaščitni ukrep močno podaljša življenjsko dobo opreme.

Odlična toplotna prevodnost: naš CVD SiC premaz ima izjemno toplotno prevodnost in učinkovito prenaša toploto iz osnovnega materiala na površino premaza. To poveča učinkovitost toplotnega upravljanja med epitaksijo, kar zagotavlja optimalne delovne temperature za opremo.

Izboljšana kakovost filma: prevleka CVD SiC zagotavlja ravno in enotno površino, kar ustvarja idealno podlago za rast filma. Zmanjšuje napake, ki so posledica neusklajenosti mreže, izboljša kristaliničnost in kakovost epitaksialnega filma ter na koncu izboljša njegovo delovanje in zanesljivost.

Izberite naš SiC Coating Susceptor za vaše potrebe po proizvodnji epitaksialnih rezin in izkoristite izboljšano zaščito, vrhunsko toplotno prevodnost in izboljšano kakovost filma. Zaupajte inovativnim rešitvam VeTek Semiconductor, ki bodo spodbudile vaš uspeh v industriji polprevodnikov.

Proizvodne trgovine:

Pregled industrijske verige epitaksije polprevodniških čipov: