Substrat SiC 4H N-tipa

Vetek SemiconductorSubstrat SiC 4H N-tipaizdelki imajo odlične električne, toplotne in mehanske lastnosti, zato se ta izdelek široko uporablja pri obdelavi polprevodniških naprav, ki zahtevajo veliko moč, visoko frekvenco, visoko temperaturo in visoko zanesljivost.

Električna poljska jakost 4H N-tipa SiC je 2,2-3,0 MV/cm. Ta lastnost izdelka omogoča izdelavo manjših naprav za ravnanje z višjimi napetostmi, zato se naš substrat SiC tipa 4H N pogosto uporablja za izdelavo MOSFET-jev, Schottkyjevih in JFET-jev.

Toplotna prevodnost 4H N-type SiC Wafer je približno 4,9 W/cm·K, kar pomaga pri učinkovitem odvajanju toplote, zmanjšanju akumulacije toplote, podaljšanju življenjske dobe naprave in je primeren za aplikacije z visoko gostoto moči.

Poleg tega ima lahko Vetek Semiconductor 4H N-type SiC Wafer še vedno stabilno elektronsko delovanje pri temperaturah do 600 °C, zato se pogosto uporablja za izdelavo visokotemperaturnih senzorjev in je zelo primeren za ekstremna okolja.

Z gojenjem epitaksialne plasti silicijevega karbida na substratu iz silicijevega karbida n-tipa je mogoče homoepitaksialno rezino iz silicijevega karbida nadalje izdelati v močnostne naprave, kot so SBD, MOSFET, IGBT itd., ki se uporabljajo v električnih vozilih, železniškem prometu, visokih -prenos in transformacija moči itd.

Vetek Semiconductor si še naprej prizadeva za višjo kakovost kristalov in kakovost obdelave za izpolnjevanje potreb strank. Trenutno so na voljo tako 6-palčni kot 8-palčni izdelki. Sledijo osnovni parametri izdelka 6-palčnega in 8-palčnega substrata SIC:

6-palčni substrat SiC tipa N OSNOVNE SPECIFIKACIJE IZDELKA:

8-palčni substrat SiC tipa N OSNOVNE SPECIFIKACIJE IZDELKA:

Metoda in terminologija zaznavanja podlage SiC tipa 4H N: