Disk sprejemnik

Vetek Semiconductor's Graphite Disc Susceptor, visoko zmogljiv izdelek za napredne postopke izdelave polprevodnikov. Naš grafitni disk je zasnovan tako, da izpolnjuje zahtevne zahteve industrije in zagotavlja izjemno zmogljivost in zanesljivost.

Ta Graphite Disc Susceptor je OEM za platformo planetarnega reaktorja AIX G5.

GaN-on-Si MOCVD se uporablja za epitaksialno proizvodnjo LED, reaktor Aixtron G5 pa izboljša izkoristek in enotnost platforme MOCVD. Popolnoma zasukan simetričen enoten vzorec na petih 200-milimetrskih rezinah, z uporabo silicijevega substrata standardne debeline in nadzorom krivljenja rezin je formaliziral, kar so potrebovali za izdelavo silicija.

Vetek Semiconductor's High-Purity Graphite Disc Susceptor za GaN-on-Si MOCVD, zanesljiva in stroškovno učinkovita rešitev za napredne postopke izdelave polprevodnikov.

Naš suceptor z grafitno ploščo visoke čistosti je posebej zasnovan za izpolnjevanje zahtev postopkov GaN-on-Si MOCVD. S svojo izjemno toplotno stabilnostjo in toplotno odpornostjo lahko prenese zahtevne temperaturne razmere, ki se običajno gibljejo od 800 °C do 1100 °C, kar zagotavlja optimalno delovanje med postopkom nanašanja.

Grafitni material visoke čistosti, uporabljen v našem disknem suceptorju, zagotavlja odlično kemično odpornost, zaradi česar je združljiv z amoniakom (NH3) in predhodniki organskih kovin, ki se običajno uporabljajo v GaN-on-Si MOCVD. To odpravlja potrebo po dodatnih SiC prevlekah, kar zmanjšuje proizvodne stroške brez ogrožanja učinkovitosti.

Vetek Semiconductor grafitni disk suceptor visoke čistosti ponuja stroškovno učinkovito rešitev brez kompromisov pri kakovosti. Zaradi njegove zanesljivosti, vzdržljivosti in združljivosti s postopki GaN-on-Si MOCVD je najprimernejša izbira za proizvajalce polprevodnikov. Zaupajte Vetek Semiconductor za dobavo visokozmogljivih grafitnih diskovnih sprejemnikov za vaše proizvodne potrebe GaN-on-Si MOCVD.

Proizvodne trgovine:

Pregled industrijske verige epitaksije polprevodniških čipov: