Nosilec rezin iz trdnega SiC

Nosilec rezin iz trdnega SiC podjetja VeTek Semiconductor je zasnovan za okolja, odporna na visoke temperature in korozijo, v epitaksialnih postopkih polprevodnikov in je primeren za vse vrste postopkov izdelave rezin z visokimi zahtevami glede čistosti. VeTek Semiconductor je vodilni dobavitelj nosilcev rezin na Kitajskem in se veseli, da bo postal vaš dolgoročni partner v industriji polprevodnikov.

Pošlji povpraševanje

Opis izdelka

Nosilec rezin iz trdnega SiC je komponenta, izdelana za visoko temperaturo, visok tlak in korozivno okolje epitaksialnega postopka polprevodnikov, in je primeren za različne postopke izdelave rezin z visokimi zahtevami glede čistosti.

Trden nosilec rezin iz SiC pokriva rob rezine, ščiti rezino in jo natančno pozicionira, kar zagotavlja rast visokokakovostnih epitaksialnih plasti. SiC materiali se pogosto uporabljajo v postopkih, kot so epitaksija v tekoči fazi (LPE), nanašanje s kemično paro (CVD) in kovinsko organsko nanašanje s paro (MOCVD) zaradi svoje odlične toplotne stabilnosti, odpornosti proti koroziji in izjemne toplotne prevodnosti. VeTek Semiconductor trdni SiC nosilec rezin je bil preverjen v številnih težkih okoljih in lahko učinkovito zagotovi stabilnost in učinkovitost postopka epitaksialne rasti rezin.

Vapor-phase epitaxial growth method

Nosilec rezin iz trdnega SiCZnačilnosti izdelka

● Stabilnost pri ultra visokih temperaturah: Nosilci rezin iz trdnega SiC lahko ostanejo stabilni pri temperaturah do 1500 °C in niso nagnjeni k deformacijam ali razpokam.

● Odlična kemična odpornost proti koroziji: Z uporabo materialov iz silicijevega karbida visoke čistosti je odporen proti koroziji zaradi različnih kemikalij, vključno z močnimi kislinami, močnimi alkalijami in jedkimi plini, kar podaljša življenjsko dobo nosilca rezin.

● Visoka toplotna prevodnost: Trdni nosilci rezin iz SiC imajo odlično toplotno prevodnost in lahko hitro in enakomerno razpršijo toploto med postopkom, kar pomaga vzdrževati stabilnost temperature rezin in izboljšati enotnost in kakovost epitaksialne plasti.

● Nizko nastajanje delcev: SiC materiali imajo naravno značilnost nizkega nastajanja delcev, kar zmanjšuje tveganje kontaminacije in lahko izpolnjuje stroge zahteve industrije polprevodnikov za visoko čistost.

Tehnične specifikacije:

Parameter	Opis
Material	Trden silicijev karbid visoke čistosti
Veljavna velikost rezin	4-palčni, 6-palčni, 8-palčni, 12-palčni (prilagodljivo)
Največja temperaturna toleranca	Do 1500°C
Kemična odpornost	Odpornost na kisline in alkalije, odpornost proti koroziji s fluoridom
Toplotna prevodnost	250 W/(m·K)
Hitrost nastajanja delcev	Ultra nizko nastajanje delcev, primerno za visoke zahteve glede čistosti
Možnosti prilagajanja	Velikost, obliko in druge tehnične parametre je mogoče prilagoditi po potrebi

Zakaj izbratiVeTek Semiconductornosilec substrata iz trdne SiC rezine?

● Zanesljivost: Po strogem testiranju in dejanskem preverjanju s strani končnih strank lahko zagotovi dolgoročno in stabilno podporo v ekstremnih pogojih in zmanjša tveganje prekinitve procesa.

● Visokokakovostni materiali: Izdelan iz najkakovostnejših SiC materialov, zagotavlja, da vsak trdni SiC nosilec rezin izpolnjuje visoke standarde industrije.

● Storitev prilagajanja: Podpora prilagajanju več specifikacij in tehničnih zahtev za izpolnjevanje posebnih potreb procesa.

Če potrebujete več informacij o izdelku ali želite oddati naročilo, nas kontaktirajte. Zagotovili vam bomo strokovno svetovanje in rešitve na podlagi vaših posebnih potreb, da vam pomagamo izboljšati učinkovitost proizvodnje in zmanjšati stroške vzdrževanja.