grafitni grelec s keramično prevleko iz silicijevega karbida

VeTek Semiconductor Grafitni grelec s keramično prevleko iz silicijevega karbidazdružuje odlično električno in toplotno prevodnost grafita z visoko temperaturno odpornostjo, odpornostjo proti koroziji in odpornostjo proti obrabi keramične prevleke iz silicijevega ogljika in je zasnovan za težka okolja proizvodnje polprevodnikov. 

Grafitni grelec s keramično prevleko iz silicijevega karbidase v glavnem uporablja v opremi za vakuumsko nanašanje (izhlapevanje), običajno uporabljeni metodi pa sta PCD (kemijsko sušenje s plazmo) in PVD (fizično nanašanje s paro). Ta izdelek je imel pomembno vlogo pri spodbujanju tehnološkega napredka in izboljšanju učinkovitosti proizvodnje v industriji polprevodnikov.Iskreno se veselimo nadaljnjega sodelovanja z vami.

Materialne in strukturne značilnosti grafitnega grelnika s keramično prevleko iz silicijevega karbida so naslednje:

Grafitna podlaga: Grafit je znan po visoki toplotni prevodnosti in nizkem koeficientu toplotnega raztezanja. Lahko se hitro odzove na temperaturne spremembe in ohrani strukturno stabilnost pri visokih temperaturah.

Silicon carbon keramična prevleka: Prevleka SiC se enakomerno nanese na površino grafita s kemičnim naparjevanjem ali drugimi naprednimi postopki. SiC ima izjemno visoko trdoto in odpornost proti kemični koroziji, kar lahko zaščiti grafitno podlago pred visokotemperaturno oksidacijo in korozivnimi okolji.

Posebna strukturna zasnova izdelka grafitnega grelnika s keramično prevleko iz silicijevega karbida določanenadomestljive prednosti tega izdelka v procesu obdelave polprevodnikov:

Učinkovito in enakomerno ogrevanje:

Toplotna prevodnost: Visoka toplotna prevodnost grafita omogoča grelcu hitro doseganje in vzdrževanje želene temperature, SiC prevleka pa zagotavlja enakomerno porazdelitev toplote. To je še posebej pomembno za polprevodniške procese, ki zahtevajo natančen nadzor temperature, kot sta hitra termična obdelava (RTP) in kemično naparjevanje (CVD).

Enakomernost temperature: Z enakomerno porazdelitvijo toplote lahko grafitni grelec s keramično prevleko iz silicijevega karbida učinkovito zmanjša toplotno obremenitev in temperaturni gradient, s čimer zagotavlja konsistenco in stabilnost kakovosti polprevodniških rezin v celotnem procesu segrevanja.

Protikorozijska zaščita:

Kemična odpornost: Odpornost na kemično korozijo SiC prevleke omogoča grelniku stabilno in dolgotrajno delovanje v jedkih plinih in kemičnih okoljih, pri čemer se izognemo poškodbam grafitne podlage. Ta lastnost je še posebej kritična pri procesih, kot sta kemično nanašanje s paro (CVD) in kemično nanašanje s pomočjo plazme (PECVD).

Odpornost proti oksidaciji: Pri visokih temperaturah lahko prevleka SiC prepreči oksidacijo grafitne podlage, podaljša življenjsko dobo grelnika in zmanjša pogostost in stroške vzdrževanja opreme.

Zmanjšajte onesnaženje z delci:

Površinska stabilnost: SiC prevleka ni samo odporna proti obrabi, ampak tudi preprečuje, da bi delci padli s površine materiala zaradi termičnega kroženja ali kemičnih reakcij, s čimer se zmanjša tveganje kontaminacije z delci, do katere lahko pride med proizvodnjo polprevodnikov, in zagotavlja visoko čisto procesno okolje.

Izboljšajte zanesljivost in učinkovitost postopka:

Dolgotrajna zasnova: Zaradi kombinacije mehanske trdnosti grafita in odpornosti proti obrabi prevleke SiC lahko grafitni grelnik s keramično prevleko iz silicijevega karbida dolgo časa vzdržuje visoko učinkovito delovanje v težkih procesnih pogojih, kar bistveno izboljša splošno zanesljivost opreme.

Učinkovita raba energije: Visoka toplotna prevodnost grafita in visokotemperaturna stabilnost prevleke SiC omogočata, da grelec zmanjša porabo energije, hkrati pa izboljša natančnost nadzora temperature, s čimer izboljša splošno učinkovitost proizvodnje polprevodnikov.

Osnovne fizikalne lastnostiGrafitni grelec s keramično prevleko iz silicijevega karbida:

VeTek SemiconductorGrafitni grelec s keramično prevleko iz silicijevega karbidatrgovine:

Pregled verige industrije epitaksije polprevodniških čipov:

/other-process